1月7日，国网智能电网研究院有限公司（原全球能源互联网研究院有限公司）半导体所魏晓光所长一行来实验室与先进输电团队就功率半导体器件研究关键问题进行调研交流合作，华北电力大学副校长、918博天堂系统国家重点实常务副主任、电气与电子工程学院院长毕天姝教授出席了会议，实验室先进输电团队成员参加了会议，赵志斌教授主持了会议。

毕天姝首先对魏晓光一行的来访表示热烈欢迎，充分肯定了智研院与实验室团队长期紧密的合作和取得的丰硕成果，期望双方在实验室共建以及高压大功率碳化硅器件研究等方面继续通力合作，取得更大的成果。

先进输电团队带头人崔翔教授介绍了团队的基本情况，回顾了十年来与智研院功率半导体研究所的合作情况，双方以突破国产高压大功率半导体器件“卡脖子”问题为目标，在高压大功率IGBT器件与高压大功率碳化硅功率器件的封装研究方面，紧密合作，融合发展，取得了显著的阶段性研究成果。

魏晓光介绍了智研院功率半导体研究所的基本情况，特别结合国家重大需求，介绍了研究所的转型任务、未来规划和发展目标等，希望与先进输电团队继续深入合作，促进双方的有机融合，取得更大的研究成果。

团队成员李学宝副教授介绍了团队在功率器件封装领域的研究进展，总结了团队自2012年起至今围绕高压大功率半导体器件研制开展的工作，对团队研制的实验平台、提出的测量和理论方法、认知的特性以及后续研究的规划进行了详细的汇报。魏晓光对团队在功率器件领域的工作和成果给予了高度评价。

智研院封装室唐新灵主任介绍了智研院在高压大功率碳化硅功率器件研发中的关键问题。双方现场对相关问题进行了讨论，交换了意见，谋划了后续合作的各项事宜。

会后，魏晓光一行8人考察调研了918博天堂系统国家重点实验室先进输电团队的相关实验研究平台。

编辑：孙鹏，李学宝，张洪

审核：崔翔，赵志斌，李学宝，彭跃辉